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霍爾效應(yīng)的應(yīng)用領(lǐng)域
霍爾效應(yīng)的應(yīng)用領(lǐng)域

霍爾效應(yīng)自發(fā)現(xiàn)以來(lái),已滲透至多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域,其核心應(yīng)用可歸納為以下幾類:一、?電子與半導(dǎo)體行業(yè)?1、?半導(dǎo)體器件開發(fā)與測(cè)試?①通過(guò)測(cè)量霍爾系數(shù)和電阻率,判斷器件的導(dǎo)電類型(N型/P型)及載流子濃度分布,優(yōu)化器件設(shè)計(jì)和制造工藝?。②監(jiān)控晶圓摻雜水平和表面缺陷,提高集成電路良率?。2、...

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2025

4.21
  • 液氮恒溫器-在氧化物界面的新應(yīng)用

    概述錦正茂的液氮恒溫器在氧化物界面處的二維電子體系(2DES)做為一個(gè)du特的平臺(tái),將典型復(fù)合氧化物、強(qiáng)電子相關(guān)的低溫物理特性以及由2DES有限厚度引起的量子限域集成于一體。這些du特的性質(zhì)使其在電子態(tài)對(duì)稱性、載流子的有效質(zhì)量和其它物理特性方面與普通半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)截然不同,可以產(chǎn)生不同于以往的新的現(xiàn)象。然而氧化物界面多掩埋于物質(zhì)間使其難以探測(cè),為探究其局限2DES需要一個(gè)無(wú)創(chuàng)并且具有很高空間分辨率的表征技術(shù),如果還能提供一個(gè)較寬范圍內(nèi)溫度變化的平臺(tái)將推進(jìn)該領(lǐng)域的研究。通常光學(xué)顯...

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    2025

    1.11
  • 錦正茂液氮恒溫器

    恒溫器是直接或間接控制一個(gè)或多個(gè)熱源和冷源來(lái)維持所要求的溫度的一種裝置。恒溫器要實(shí)現(xiàn)這種功能,就必須具有一個(gè)敏感元件和一個(gè)轉(zhuǎn)換器,敏感元件量度出溫度的變化,并對(duì)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生所需的作用。轉(zhuǎn)換器把來(lái)自敏感元件的作用轉(zhuǎn)換成對(duì)改變溫度的裝置能進(jìn)行適當(dāng)控制的作用。液氮是一種方便、經(jīng)濟(jì)、高效的制冷劑,直接以液氮為冷源的恒溫器就是液氮恒溫器,其各種產(chǎn)品在低溫物理實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體、航空航天、食品、醫(yī)藥等眾多領(lǐng)域被廣泛的應(yīng)用。使用液氮制冷劑,有效率高、降溫速度快、振動(dòng)小、成本低等優(yōu)點(diǎn),有光學(xué)和非光學(xué)...

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    2025

    1.11
  • 半導(dǎo)體材料-封裝材料

    半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié),在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分,半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中,基體材料主要用來(lái)制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體;制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導(dǎo)體加工成芯片所需的各類材料;封裝材料則是將制得的芯片封裝切割過(guò)程中所用到的材料。1、粘結(jié)材料采用粘結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)管芯與底座或封裝基板連接的材料,在物理化學(xué)性能上要滿足機(jī)械強(qiáng)度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)電導(dǎo)熱、低固化溫度和可操作性強(qiáng)的要求。在實(shí)際應(yīng)用中主要的粘...

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    2025

    1.2
  • 半導(dǎo)體材料-制造材料

    半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié),在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分,半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中,基體材料主要用來(lái)制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體;制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導(dǎo)體加工成芯片所需的各類材料;封裝材料則是將制得的芯片封裝切割過(guò)程中所用到的材料。制造材料1、光刻膠光刻膠是光刻工藝的核心材料,其主要是通過(guò)紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻材料。按照下游應(yīng)用場(chǎng)景不...

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    2025

    1.2
  • 使用半導(dǎo)體材料制作霍爾元件有什么優(yōu)點(diǎn)

    霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的傳感器,可以測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度和電流等物理量。霍爾效應(yīng)是指,當(dāng)電流通過(guò)一塊導(dǎo)體時(shí),如果該導(dǎo)體置于垂直于電流方向的磁場(chǎng)中,就會(huì)在導(dǎo)體兩側(cè)出現(xiàn)一定的電勢(shì)差,這就是霍爾效應(yīng)?;魻栐梢岳没魻栃?yīng)測(cè)量磁場(chǎng)的大小和方向。使用半導(dǎo)體材料制作的霍爾元件有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):1、高精度:半導(dǎo)體材料的電子遷移率高,能夠保證電子傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性,從而提高了霍爾元件的精度。2、高靈敏度:半導(dǎo)體材料的靈敏度比金屬材料高,可以更加準(zhǔn)確地測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度和電流等物理量。3、小尺寸:半...

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    2024

    12.28
  • 半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)測(cè)試

    半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段,可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)判斷材料的導(dǎo)電類型?;魻栃?yīng)本質(zhì)上是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用引起的偏轉(zhuǎn),當(dāng)帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中,這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積,形成附加的橫向電場(chǎng)。根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計(jì)算載流子的濃度,以及載流子濃度同溫度的關(guān)系,由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能;通過(guò)霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測(cè)量能夠確定載流子的遷移率,用微分霍爾效應(yīng)法可測(cè)縱向載...

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    2024

    12.28
  • 半導(dǎo)體材料的分類

    半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì),才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),它的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展有極大的影響。半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu),大致可分為以下幾類。1、化合物半導(dǎo)體由兩種或兩種以上的元素...

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    2024

    12.24
  • 半導(dǎo)體材料的特性

    半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì),才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),它的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展有極大的影響。半導(dǎo)體材料特性半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體,...

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    2024

    12.24
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